Затвори оглас

20нм-4Гб-ДДР3-03Самсунг је поново у нечему први. Овог пута јужнокорејска компанија је објавила да је успела да створи најбржи РАМ на свету. Меморија типа ДДР5 користи ХБМ2 интерфејс и способна је за брзину преноса до 256 ГБ/с, што је чини до 7 пута бржом од претходних ДДР5 модула који се користе у графичким картицама. Компанија је најавила да ће своју супербрзу ДДР4 меморију од 5 ГБ обезбедити произвођачима корпоративних сервера, као и произвођачима графичких картица, нВидиа и АМД.

Меморијски модули за графичке картице ће се производити коришћењем 20-нм производног процеса, што ће учинити да они троше мање од данашњих меморија, а нуде боље перформансе. Тренутно се производе 4ГБ чипови који се састоје од четири слоја са 8-гигабитним језграма, али ће ускоро кренути у производњу 8ГБ меморије са осам слојева.

20нм 8Гб ДДР4 Самсунг

 

*Извор: СамМобиле

Данас најчитанији

.