Иако ни Самсунг још није представио Galaxy С9 и о томе се већ почиње спекулисати Galaxy С10. По свему судећи, водећи модел који ће јужнокорејски гигант представити следеће године требало би да има моћнији чип од овогодишњег Galaxy С9. Срце међународне верзије Galaxy С9 је Екинос 9810 а америчка верзија је Снапдрагон 845. Самсунг је морао да се држи 10нм процеса, али би 7нм чипови требало да се појаве у паметним телефонима већ следеће године, тј. Galaxy СКСНУМКС.
Јуче је Куалцомм представио Снапдрагон Кс24, нови ЛТЕ модем за паметне телефоне који обећава теоријске брзине преузимања до 2 Гбпс. Куалцомм тврди да је ово први ЛТЕ модем категорије 20 који подржава тако велике брзине. Снапдрагон Кс24 ће тако постати први ЛТЕ модем изграђен на 7 нм архитектури.
Куалцомм је рекао да ће модем доћи на комерцијалне уређаје негде касније ове године, тако да неће дебитовати са Снапдрагон 845 чипом који покреће америчку верзију Galaxy С9. Снапдрагон 845 има Снапдрагон Кс20 ЛТЕ модем.
Иако Куалцомм није потврдио да ће предстојећи процесор, односно Снапдрагон 855, бити произведен по 7нм процесу. Ово је само спекулација, заснована на ЛинкедИн профилу једног од запослених код добављача.
Снапдрагон 855, који би имао Снапдрагон Кс24 модем, би тако постао први 7нм мобилни процесор на свету. И Galaxy С10 би постао први паметни телефон са таквим процесором.
Извор: СамМобиле
